GEIL EVO TWO PC3-16000 2000 MHz CL9

Le memorie della serie EVO TWO, prodotte dalla taiwanese GEIL, sono pensate appositamente per i videogiocatori più esigenti che ricercano le massime prestazioni dal proprio sistema. Questo kit dual channel di tipo DDR3 presenta delle caratteristiche molto interessanti, che le rendono appetibili sotto molti punti di vista. Le memorie, in kit da 4 GB (2 x 2 GB), sono caratterizzate da una frequenza operativa di 2000 MHz (PC3-16000) e dotate di ottima propensione all’overclock. Le abbiamo testate per voi in questa recensione.

BrandGeIL
ModelloEVO TWO PC3-16000 2000 MHz CL9

Sistema di prova e metodologia di testing:

Abbiamo eseguito le prove considerando che queste memorie, alla frequenza di default della cpu, ossia con un BCLK di 133 MHz, non è possibile settarle alla frequenza di 2000 MHz, neanche usando il divisore massimo 2:12. Pertanto abbiamo preferito optare per un aumento del BCLK fino a 200 MHz ed in seguito variare il divisore ram, in modo da far operare le memorie a varie frequenze, ed adeguando di volta in volta i timing di accesso. Pertanto con un frequenza di 200 MHz di BCLK abbiamo ottenuto variando il divisore DRAM del controller di memoria le seguenti frequenze operative:

  • 2400 MHz (divisore 2:12) timing 10-11-10-28
  • 2000 MHz (divisore 2:10) timing 9-9-9-28
  • 1600 MHz (divisore 2:8) timing 7-8-7-24
  • 1600 MHz (divisore 2:8) timing 9-9-9-27
  • 1200 MHz (divisore 2:6) timing 8-8-8-24

La cpu inoltre è stata mantenuta ad una frequenza di 3.6 GHz, ottenuta usando il moltiplicatore 18x ed un Bclk pari  a 200 MHz. Vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal bios della scheda madre dove sono montati:

  • Cas Latency Time (TCL): durante un operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
  • Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
  • Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
  • Row Precharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.

Il sistema Operativo è stato scelto in Windows 7 x64 Ultimate, mentre la configurazione di prova la potete trovare nel seguente schema: