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Sistema di Prova e Metodologia di Test

sistema

Abbiamo eseguito i test settando il Base Clock della nostra CPU alla frequenza di default (100MHz), quindi abbiamo proceduto ad eseguire i nostri test semplicemente modificando i divisori delle RAM sulla nostra piastra madre. Di seguito troverete elencati i divisori con le relative frequenze e latenze che abbiamo utilizzato in questa recensione:

  • 1333 MHz (divisore1:5) timing 7-7-7-21
  • 1600 MHz (divisore1:6) timing 7-8-7-21
  • 1600 MHz (divisore1:6) timing 8-8-8-24
  • 1600 MHz (divisore1:6) timing 9-9-9-27
  • 1866 MHz (divisore1:7) timing 8-8-8-24
  • 1866 MHz (divisore1:7) timing 9-9-9-27
  • 2133 MHz (divisore 1:8) timing 9-10-9-27

 

La CPU inoltre è stata mantenuta ad una frequenza di default (3.4GHz), lasciando tutti i risparmi energetici attivati e senza modificare alcun parametro alla Tecnologia Turbo di Intel.

 

Come sempre vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:

  • CasLatency Time (TCL): durante un'operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
  • Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
  • Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
  • RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.

 

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