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Samsung ha annunciato la produzione del primo modulo di memoria GDDR4 a 80 nm, affermando che ogni pin di input/output ha una banda per il processo dei dati di 2.4 Gb/s, superiore ai 2.0 Gb/s della memoria GDDR3. L'azienda promette l'inizio della produzione di massa fin da questo momento, ma c'è da riportare che questo tipo di memoria va a deludere un po' le affermazioni fatte negli anni passati: nell'ottobre del 2005 Samsung ha affermato che la banda sarebbe stata di 2.8 Gb/s; nel febbraio di quest'anno, l'azienda ha dichiarato di aver sviluppato una versione con banda di 3.2 Gb/s, indicandoci la possibilità per le GDDR4 di raggiungere velocità molto più elevate in futuro. Oltre alle prestazioni, Samsung ha affermato che la nuova generazione di memorie GDDR4 consumerà il 45% di energia in meno rispetto alle GDDR3 2.0 Gb/s. Il primo dispositivo GDDR4 512 Megabit offerto da Samsung sarà venduto con bus dati in configurazione 32-bit. Non è ancora chiaro quando vedremo le prime schede equipaggiate con queste memorie. Tuttavia Nvidia e ATi hanno partecipato all'annuncio dell'azienda sud coreana dichiarando che i loro futuri prodotti si appoggeranno a tale tecnologia. Queste affermazioni mettono a tacere le voci che volevano le memorie XDR di Rambus protagoniste nelle soluzioni grafiche di prossima generazione. Secondo Samsung, le memorie GDDR4 da 3.2 Gb/s sono in grado di competere prestazionalmente con la prima generazione di memorie XDR. Ciao
