Search the Community

Le memorie DDR3 si affacciarenno nel mercato entro il II quarter del 2007. Praticamente le nuove memorie saranno migliori delle attuali DDR2 in quasi tutti gli aspetti (consumi, banda, latenze). E' confermato che il principio concettuale rimane uguale a quello che ha caratterizzato il passaggio da DDR a DDR2. Con lo schema successivo spiego cosa voglio dire: Dalla schematizzazione precedente si capisce come con lo stesso clock riesco a spostare una quantità doppia di dati nelle DDR3 rispetto alla DDR2. Quindi riesco a parità di clock a realizzare una banda per i dati doppia. Inoltre è migliorata l'elettronica con cui sono costruite le RAM consentendo di abbassare il voltaggio dei segnali di I/O e questo si traduce con un più basso consumo legato alle minori tensioni di esercizio. Hanno introdotto una ODT dinamica che varia in funzione della condizione di utilizzo delle RAM (attualmente il valore dell'ODT nelle DDR2 è statico e rimane fisso al variare delle condizioni di utilizzo), consentendo una riduzione dei disturbi sul bus dati/segnali in funzione della condizione di utilizzo. Ancora hanno introdotto un nuovo circuito per la calibrazione più precisa delle varie della resistenza di terminazione (ODT) e dei segnali di uscita, otttenendo così un migliore interfacciamento "elettrico" delle memorie con il sistema in cui verranno utilizzate al fine di minimizzare i disturbi elettrici che genrano rumore e corrompono i dati che viaggiano sul bus (mi scuso con i puristi ma ho riportato i concetti espressi nell'articolo nel modo più semplice possibile rischiando di dire delle cose non proprio precise). Se volete lambiccarvi il cervello con qualche articolo: DDR3 http://www.eetasia.com/ARTICLES/2005DEC/B/EEOL_2005DEC16_STOR_TA.pdf